南京邮电大学学报(自然科学版)

作者：潘茂林,刘蕾蕾

单位：南京邮电大学 电子与光学工程学院、微电子学院，江苏南京210046南京邮电大学 电子与光学工程学院、微电子学院，江苏南京210046

关键词：功率放大器；偏置电路；射频前端

基于GaAs HBT工艺设计了一款高线性、全集成的宽带功率放大器（PA）。芯片采用倒扣的装配方式。该功率放大器包括驱动级和功率级，工作频率为1.71~2.05 GHz。通过多级匹配增大带宽，实现了对GSM/WCDMA/LTE中多个上行频段的覆盖。测试结果表明，在整个工作频带内功率增益约为30 dB。工作电压为3.5 V，输出功率为28 dBm，采用10 MHz 50RB QPSK LTE信号测试时，功率附加效率（PAE）约为37%，邻信道泄漏比（ACLR）约为-38 dBc。芯片尺寸为0.755 mm×0.8 mm。

来源：2020年第2期

《南京邮电大学学报(自然科学版)》期刊编辑部

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