南京邮电大学学报(自然科学版)

作者：蔡志匡,王荧,周正,仲伟宏,王子轩

单位：南京邮电大学 电子与光学工程学院，江苏南京210023南京邮电大学 电子与光学工程学院，江苏南京210023南京邮电大学 电子与光学工程学院，江苏南京210023通富微电子股份有限公司，江苏南通226000南京邮电大学 电子与光学工程学院，江苏南京210023

关键词：SRAM；随机故障注入；阻抗性开路故障；故障覆盖率

基金：国家自然科学基金（61974073）、江苏省高校自然科学研究（19KJB510007）和江苏省研究生科研与实践创新计划（SJCX18_0284）资助项目

针对传统静态随机存储器缺乏有效的故障注入这一技术问题，文中提出了一种基于阻抗性开路故障的随机故障注入技术。该技术针对阻抗性开路故障的故障机理特点以及其故障表现形式，使用Perl语言提取故障节点，在电路中随机选取多个节点并注入阻值随机电阻，使存储单元电路随机产生阻抗性开路故障。文中首先通过HSIM仿真验证了随机故障注入技术的随机性以及有效性，并基于该方法通过HSIM+VCS混合仿真平台得到March C算法对阻抗性开路缺陷的故障覆盖率为87.8%。

来源：2020年第4期

《南京邮电大学学报(自然科学版)》期刊编辑部

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