南京邮电大学学报(自然科学版)

作者：林　倩,贾立宁,胡单辉,陈思维,刘林盛,刘　畅,刘建利

单位：青海民族大学 物理与电子信息工程学院，青海 西宁　810007青海民族大学 物理与电子信息工程学院，青海 西宁　810007青海民族大学 物理与电子信息工程学院，青海 西宁　810007青海民族大学 物理与电子信息工程学院，青海 西宁　810007成都理工大学 计算机与网络安全学院，四川 成都　610000天津大学 微电子学院，天津　300072中兴通讯股份有限公司，陕西 西安　710000

关键词：GaN HEMT；E/F3类；温度可靠性；可靠性测试

基金：国家自然科学基金(62161046)、2021年中科院西部之光青年学者项目和青海民族大学研究生创新项目(10M2021009)资助项目

为了研究温度对开关类功率放大器可靠性的影响，对GaN HEMT E/F3类功率放大器开展了一系列的温度可靠性测试。测试表明，该E/F3类功率放大器在-20～120 ℃范围内都工作在高效模式。随着温度的升高，其直流特性、S参数以及射频输出特性均呈现不同程度的下降。同时，电路本身及其寄生元件所消耗的能量也随之增加。因此，温度变化对E/F3类功率放大器的性能带来了显著的影响。为了扼制温度升高导致该GaN HEMT E/F3类功率放大器的退化，文中提出提高衬底掺杂浓度、减小漏源结面积、选择合适的栅极宽度以及设计合理的温度补偿电路等措施提升电路性能，该研究为E/F3开关类功率放大器的可靠性设计研究提供了重要的参考。

来源：2022年第2期

《南京邮电大学学报(自然科学版)》期刊编辑部

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